美光计划在新加坡扩产并推进HBM封装与DRAM产能布局

 U.S.存储芯片厂商Micron Technology准备在新加坡公布新增存储芯片制造产能投资计划，披露窗口被描述为接近1月27日。该计划与公司在当地的既有制造体系直接相关：Micron在新加坡拥有多座制造设施，约98%的闪存芯片在新加坡生产；公司同时在当地建设一座约70亿美元的先进封装工厂，为高带宽内存（HBM）提供封装与相关制程支持，时间表指向2027年开始投产。新增投资计划被点名与NAND闪存产能有关，并被放在全球存储器供应紧张的行业背景下描述；短缺被关联到多类行业加速建设数据中心与算力基础设施，同时消费电子等领域对存储器的需求也在增加。与此并行的另一条扩产线索是，Micron此前披露正就以18亿美元现金收购台湾地区Powerchip的一处晶圆厂用地进行洽谈，目标是提升DRAM晶圆产出并扩大晶圆供给。报道同时罗列竞争对手的扩产节奏：三星电子与SK海力士近月相继宣布新增生产线并调整生产启动日期；SK海力士提到把一座新工厂的开放时间提前三个月，并计划在2月开始运营另一座新厂。多家厂商同步扩产仍未抵消供应紧张的描述，文中把供需缺口的持续时间指向2027年下半年。HBM通常通过多层堆叠的方式提高带宽并压缩封装体积，常与图形处理器或专用加速器一起用于训练与推理等高吞吐工作负载，因此相关封装产能被纳入Micron在新加坡的中长期扩张路线。