三星可能将HBM基底晶圆推进至2纳米工艺

韩国半导体巨头三星计划在其正在建设的研发设施中重新配置一条生产线，用于制造HBM内存芯片的基底晶圆。这条生产线将采用2纳米工艺技术生产HBM4基底晶圆，并可能为NVIDIA的AI芯片提供支持。随着计算基础设施性能需求的增长，HBM内存芯片的设计也在不断进化，从最初的堆叠DRAM层数到现在的逻辑节点演进。此前，三星宣布将使用4纳米制造技术来生产HBM4内存芯片，而SK海力士和美光科技也分别与台积电合作开发其HBM产品。目前的升级使得制造商首次采用IC代工工艺节点进行基底晶圆制造，以应对数据速率和引脚速度的显著提升。随着高性能计算需求的增长，三星正考虑使用2纳米技术生产用于NVIDIA AI芯片的HBM4基底晶圆。