SanDisk 投资者日：选择性展示新技术，忽视关键问题

近日，SanDisk 在其投资者日活动中展示了即将推出的 High-Bandwidth Flash (HBF) 技术。该公司与 SK 海力士合作开发的 HBF 标准将提供高达 512GB 的存储容量和 0.4TB/s 至 3TB/s 的带宽。尽管 NAND 单元的速度较慢，但通过并行读取技术可以显著提高整体带宽。然而，在演示中，SanDisk 并未提及 HBF 写入耐久性的关键问题，并且在展示时选择性地强调了 BF16 定量和过时的 HBM 规格。目前，HBF 技术旨在通过堆叠 NAND 单元并使用 Through Silicon Vias (TSVs) 连接这些单元来实现高带宽存储解决方案。