中国最大内存制造商涉嫌窃取三星技术

据韩国媒体报道，中国大型动态随机存取存储器（DRAM）生产商长鑫存储技术有限公司计划通过非法获取三星的内存工艺技术知识产权来开发自己的生产节点。前三星工程师全某在2016年左右跳槽至CXMT，并于今年4月因窃取三星600步制程配方信息被判7年监禁。全某表示，从一开始CXMT就试图通过盗取三星的工艺技术来发展DRAM业务，而该公司没有研究机构或设施，在成立之初也没有自主研发技术的打算。CXMT在2019年开始使用22纳米级节点大规模生产DDR4 SDRAM，并于2023年使用18纳米级工艺技术开始大规模生产内存。这样的时间线引发了疑问：CXMT的22纳米级G1是否借鉴或改编自三星的工艺技术和/或其制程配方，还是所窃取的三星IP主要帮助了该公司开发更先进的18纳米节点？无论如何，法院裁定CXMT通过盗取三星知识产权来增强自身内存生产能力。