研究团队在二碲化钨单层中原位制成晶体管

传统硅半导体晶体管需经多轮改性和堆叠不同功能层，工艺步骤较多。近年来研究者转向过渡金属硫族化合物单层，试图在材料内部原位构建器件，以简化制程。Seok Young Min等人报告，可在二碲化钨单层中选择性将部分区域转为氧化钨绝缘层，另一些区域转为n型二硫化钨与p型二硒化钨，从而制成可用的金属氧化物半导体场效应晶体管，无需再嫁接外来材料。该方法在原子尺度进行，有望实现高于现行硅工艺的集成密度。二碲化钨并非唯一候选，亦有研究如N. Lu等人在二〇一四年探索二硒化钼等类似路径；此类二维半导体还包括石墨烯等超薄材料，均属于单原子或数原子层厚度的器件平台。