印度科学研究所(IISc)的研究团队近日成功开发出一种分子薄膜,能够储存高达16,384(2^14)种不同的导电状态,这项技术有望突破传统二进位和量子运算的限制。由奈米科学与工程中心(CeNSE)的助理教授Sreetosh Goswami领导的团队,通过控制材料薄膜中分子和离子的运动,利用精确的电脉冲实现特定的记忆状态。这种分子薄膜不仅在能耗方面表现出色,还能在单步骤中完成复杂计算,如矩阵乘法,显示出在类神经形态加速器(neuromorphic accelerator)中的广泛应用前景。研究团队还成功使用该加速器处理詹姆斯·韦伯太空望远镜的原始数据,以更低能耗和更短时间完成图像处理任务。这一突破为未来运算技术的发展提供了新的可能,研究团队正致力于将这项分子薄膜技术发展为完整的系统芯片。